IPA65R1K0CEXKSA1

IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies


3572infineon-ipa65r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a4015384.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA65R1K0CEXKSA1 за ціною від 28.85 грн до 125.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
212+58.91 грн
215+58.07 грн
240+51.90 грн
500+39.48 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+63.12 грн
50+62.22 грн
100+55.60 грн
500+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7 Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.24 грн
50+48.21 грн
100+42.95 грн
500+31.64 грн
1000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+121.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Виробник : INFINEON 2577560.pdf Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.67 грн
15+58.96 грн
100+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 7.2A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA65R1K0CE_DS_v02_00_EN-1227011.pdf MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.