Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R1K0CEXKSA1
IPA65R1K0CEXKSA1

IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies

infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+66.55 грн
50+65.60 грн
100+58.62 грн
500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm.

Інші пропозиції IPA65R1K0CEXKSA1 за ціною від 26.75 грн до 136.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.55 грн
215+65.60 грн
240+58.63 грн
500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies 3572infineon-ipa65r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a4015384.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.18 грн
196+71.70 грн
500+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7 Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.53 грн
50+44.71 грн
100+39.83 грн
500+29.34 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+136.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 INFINEON 2577560.pdf Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA65R1K0CE_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+66.55 грн
215+65.60 грн
240+58.63 грн
500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 3572infineon-ipa65r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462533600a4015384.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
162+87.18 грн
196+71.70 грн
500+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon-IPA65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384177bc470f7
IPA65R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.53 грн
50+44.71 грн
100+39.83 грн
500+29.34 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 infineonipa65r1k0cedsv0200en.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+136.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 2577560.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 Infineon_IPA65R1K0CE_DS_v02_00_EN.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.