IPA65R225C7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R225C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA65R225C7XKSA1 за ціною від 109.12 грн до 228.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA65R225C7XKSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPA65R225C7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPA65R225C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA65R225C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 109.12 грн |
| IPA65R225C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 126.44 грн |
| 500+ | 121.76 грн |
| IPA65R225C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 126.44 грн |
| 500+ | 121.76 грн |
| 1000+ | 114.44 грн |
| IPA65R225C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 126.44 грн |
| 500+ | 121.76 грн |
| IPA65R225C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 126.44 грн |
| IPA65R225C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 228.30 грн |
| 77+ | 183.81 грн |
| 100+ | 172.10 грн |
| IPA65R225C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPA65R225C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





