IPA65R225C7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 251+ | 93.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R225C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA65R225C7XKSA1 за ціною від 77.72 грн до 223.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 29W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 0.225Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 29W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 29W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 0.225Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 29W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA65R225C7XKSA1 TIPA65r225c7 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA65R225C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |