Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R280E6XKSA1
IPA65R280E6XKSA1

IPA65R280E6XKSA1 Infineon Technologies

ipb65r280e6_2_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
144+85.84 грн
Мінімальне замовлення: 144
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R280E6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPA65R280E6XKSA1 за ціною від 83.90 грн до 212.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb65r280e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+91.98 грн
50+84.60 грн
100+83.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb65r280e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+137.56 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPI65R280E6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d46145f1f3a4014618e6c4f81afe Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.94 грн
50+102.48 грн
100+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb65r280e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb65r280e6_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPA65R280E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128d3bdf1ca009e Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R280E6XKSA1 - IPA65R280 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET,
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA65R280E6_DS_v02_02_EN-3360260.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.