IPA65R280E6XKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 215+ | 166.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
215 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R280E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA65R280E6XKSA1 за ціною від 96.21 грн до 331.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R280E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP Mounting: THT Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 13.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220FP On-state resistance: 0.28Ω |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V |
на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPA65R280E6XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 13.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.28Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 13.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.28Ω
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 231.97 грн |
| 10+ | 103.16 грн |
| 26+ | 97.38 грн |
| IPA65R280E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 235.25 грн |
| 10+ | 147.66 грн |
| 50+ | 113.51 грн |
| 100+ | 96.21 грн |
| IPA65R280E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 327.64 грн |
| 67+ | 214.19 грн |
| 87+ | 164.02 грн |
| 100+ | 141.68 грн |
| IPA65R280E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 331.99 грн |
| 10+ | 217.04 грн |
| 50+ | 166.20 грн |
| 100+ | 143.56 грн |