Технічний опис IPA65R280E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Інші пропозиції IPA65R280E6XKSA1 за ціною від 68.33 грн до 326.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FPVgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA65R280E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPA65R280E6XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPA65R280E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 206.47 грн |
| 50+ | 99.48 грн |
| 100+ | 89.79 грн |
| 500+ | 68.33 грн |
| IPA65R280E6XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.00 грн |
| 50+ | 113.80 грн |
| IPA65R280E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 325.06 грн |
| 86+ | 164.40 грн |
| 100+ | 147.28 грн |
| IPA65R280E6XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 326.68 грн |
| 50+ | 165.23 грн |
| 100+ | 148.03 грн |