IPA65R280E6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 85.91 грн |
| 50+ | 85.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R280E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA65R280E6XKSA1 за ціною від 92.52 грн до 221.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA65R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPA65R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA65R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPA65R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA65R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA65R280E6XKSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA65R280E6XKSA1 - IPA65R280 - 650V, N-CHANEL POWER MOSFET, tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA65R280E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA65R280E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPA65R280E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |