IPA65R380E6XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.80 грн |
| 50+ | 85.84 грн |
| 100+ | 77.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R380E6XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA65R380E6XKSA1 за ціною від 92.96 грн до 219.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R380E6XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA65R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA65R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPA65R380E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
товару немає в наявності |