Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R400CEXKSA1
IPA65R400CEXKSA1

IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa65r400ce-ds-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+55.49 грн
266+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 31W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

Інші пропозиції IPA65R400CEXKSA1 за ціною від 46.61 грн до 125.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa65r400ce-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
483+72.80 грн
537+65.52 грн
1000+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa65r400ce-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.31 грн
14+55.69 грн
100+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493 Description: MOSFET N-CH 650V TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.47 грн
50+52.32 грн
100+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002470694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 15.1A
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.01 грн
10+55.10 грн
15+52.79 грн
50+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 infineon-ipa65r400ce-ds-v02_01-en.pdf
IPA65R400CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
483+72.80 грн
537+65.52 грн
1000+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 infineon-ipa65r400ce-ds-v02_01-en.pdf
IPA65R400CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.31 грн
14+55.69 грн
100+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493
IPA65R400CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.47 грн
50+52.32 грн
100+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 INFN-S-A0002470694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R400CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_01-EN.pdf
IPA65R400CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R400CEXKSA1 Infineon-IPA65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015384fc4e327493
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 15.1A
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.01 грн
10+55.10 грн
15+52.79 грн
50+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.