IPA65R400CEXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.17 грн |
| 15+ | 56.57 грн |
| 100+ | 54.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R400CEXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPA65R400CEXKSA1 за ціною від 29.11 грн до 134.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA65R400CEXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 39nC On-state resistance: 0.36Ω Drain current: 15.1A Power dissipation: 31W Drain-source voltage: 650V Case: TO220FP Kind of channel: enhancement |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPA65R400CEXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 650V TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.25 грн |
| 50+ | 53.89 грн |
| 100+ | 49.11 грн |
| IPA65R400CEXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.03 грн |
| 10+ | 83.49 грн |
| 100+ | 48.70 грн |
| 500+ | 39.89 грн |
| 1000+ | 34.89 грн |
| 2500+ | 32.07 грн |
| 5000+ | 29.11 грн |
| IPA65R400CEXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 15.1A
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.1A; 31W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 15.1A
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 96.85 грн |
| 10+ | 56.76 грн |
| 15+ | 54.38 грн |
| 50+ | 48.02 грн |