IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 57.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R400CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPA65R400CEXKSA1 за ціною від 38.79 грн до 154.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA65R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA65R400CEXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA65R400CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA65R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPA65R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPA65R400CEXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |