на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.98 грн |
| 10+ | 144.67 грн |
| 100+ | 91.22 грн |
| 500+ | 82.40 грн |
| 2500+ | 81.66 грн |
| 5000+ | 80.92 грн |
| 10000+ | 79.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R420CFDXKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA65R420CFDXKSA2 за ціною від 90.79 грн до 210.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R420CFDXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 31.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|