IPA65R600E6 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.88 грн |
| 10+ | 85.74 грн |
| 100+ | 61.72 грн |
| 500+ | 44.53 грн |
| 1000+ | 37.83 грн |
| 5000+ | 37.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA65R600E6 Infineon Technologies
Description: IPA65R600 - 650V AND 700V COOLMO, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO220-3-111, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V.
Інші пропозиції IPA65R600E6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA65R600E6 | Infineon technologies |
|
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA65R600E6 |
![]() |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



