Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA65R650CEXKSA1
IPA65R650CEXKSA1

IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies

841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 24 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 28W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.

Інші пропозиції IPA65R650CEXKSA1 за ціною від 33.26 грн до 150.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.37 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+59.37 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.65Ω
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.21 грн
10+67.01 грн
27+35.16 грн
74+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+150.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0001751104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 Infineon Technologies 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
321+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+59.37 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+59.37 грн
1000+54.76 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CE-DTE.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Mounting: THT
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.65Ω
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.21 грн
10+67.01 грн
27+35.16 грн
74+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+150.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 INFN-S-A0001751104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 841055266975349dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d4624d6fc3d.pdf
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.