
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 28.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26.5W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA70R360P7SXKSA1 за ціною від 31.13 грн до 132.90 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA70R360P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.5W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 26.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPA70R360P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPA70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |