
IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 24.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24.9W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA70R600P7SXKSA1 за ціною від 26.04 грн до 103.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA70R600P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA70R600P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA70R600P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA70R600P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24.9W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA70R600P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPA70R600P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IPA70R600P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |