Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies

125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+39.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA80R1K0CEXKSA2 за ціною від 41.23 грн до 172.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+55.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.96 грн
10+107.85 грн
100+85.62 грн
500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R1K0CE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.08 грн
10+97.09 грн
13+73.39 грн
34+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA80R1K0CE_DS_v02_01_EN-1227032.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.55 грн
10+131.66 грн
100+92.47 грн
500+67.30 грн
1000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R1K0CE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.89 грн
10+120.99 грн
13+88.07 грн
34+83.48 грн
500+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.