IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 153+ | 85.33 грн |
| 167+ | 78.19 грн |
| 500+ | 64.91 грн |
| 1000+ | 54.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPA80R1K0CEXKSA2 за ціною від 44.30 грн до 173.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 105680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA80R1K0CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |