Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies

125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
296+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 296
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA80R1K0CEXKSA2 за ціною від 44.12 грн до 135.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+57.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+74.39 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.21 грн
10+98.83 грн
100+68.60 грн
500+57.85 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.14 грн
10+107.59 грн
100+85.90 грн
500+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b IPA80R1K0CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.69 грн
13+92.08 грн
34+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K0CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c776020e1e3b Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.