Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies

125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+86.41 грн
2000+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPA80R1K0CEXKSA2 за ціною від 44.47 грн до 174.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 107180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.76 грн
500+92.48 грн
1000+85.29 грн
10000+73.32 грн
100000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+102.76 грн
500+92.48 грн
1000+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R1K0CE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.45 грн
10+81.45 грн
20+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IPA80R1K0CE_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.28 грн
10+92.40 грн
100+61.81 грн
500+51.31 грн
1000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON INFN-S-A0001299891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.33 грн
10+101.96 грн
100+81.74 грн
500+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 107180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
345+102.76 грн
500+92.48 грн
1000+85.29 грн
10000+73.32 грн
100000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
345+102.76 грн
500+92.48 грн
1000+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CE.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+143.45 грн
10+81.45 грн
20+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon_IPA80R1K0CE_DS_v02_01_EN.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+165.28 грн
10+92.40 грн
100+61.81 грн
500+51.31 грн
1000+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 INFN-S-A0001299891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+174.33 грн
10+101.96 грн
100+81.74 грн
500+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 125infineon-ipa80r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.