IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 86.41 грн |
| 2000+ | 78.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 32W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm.
Інші пропозиції IPA80R1K0CEXKSA2 за ціною від 56.88 грн до 102.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 107180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 32W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 107180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 345+ | 102.76 грн |
| 500+ | 92.48 грн |
| 1000+ | 85.29 грн |
| 10000+ | 73.32 грн |
| 100000+ | 56.88 грн |
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 345+ | 102.76 грн |
| 500+ | 92.48 грн |
| 1000+ | 85.29 грн |
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 32W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





