Інші пропозиції IPA80R1K2P7XKSA1 за ціною від 59.28 грн до 121.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon |
N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies TIPA80r1k2p7кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 18671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA80R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA80R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies TIPA80r1k2p7
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; IPA80R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies TIPA80r1k2p7
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 59.28 грн |
| IPA80R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 192+ | 74.04 грн |
| IPA80R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 18671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 409+ | 86.47 грн |
| 500+ | 77.83 грн |
| 1000+ | 71.78 грн |
| 10000+ | 61.70 грн |
| IPA80R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 409+ | 86.47 грн |
| 500+ | 77.83 грн |
| 1000+ | 71.78 грн |
| IPA80R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.49 грн |
| IPA80R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| Мініатюрні лещата на присосці Код товару: 203671
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
Інструмент > Інструменти (різне)
Опис: Мініатюрні лещата на присосці для дрібних деталей, електроніки, ювелірних виробів тощо. Еластичні губки не пошкодять предмет затискання. Кут обертання 360°. Ширина губок: 55 мм. Діапазон розкриття: 12...52 мм. Розмір: 107x81 мм.
Опис: Мініатюрні лещата на присосці для дрібних деталей, електроніки, ювелірних виробів тощо. Еластичні губки не пошкодять предмет затискання. Кут обертання 360°. Ширина губок: 55 мм. Діапазон розкриття: 12...52 мм. Розмір: 107x81 мм.
у наявності: 69 шт
- 63 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 210.00 грн |








