IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 58.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPA80R1K4CEXKSA2 за ціною від 34.58 грн до 154.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 3.9A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 1.22Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |