Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA80R1K4CEXKSA2
IPA80R1K4CEXKSA2

IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies

812infineon-ipa80r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA80R1K4CEXKSA2 за ціною від 35.58 грн до 159.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 812infineon-ipa80r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+63.94 грн
200+63.77 грн
220+57.87 грн
500+47.02 грн
1000+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 812infineon-ipa80r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+68.49 грн
50+68.32 грн
100+62.01 грн
500+50.37 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 812infineon-ipa80r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+72.89 грн
500+65.59 грн
1000+60.49 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 812infineon-ipa80r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 812infineon-ipa80r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+72.89 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43 Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.68 грн
10+85.25 грн
100+59.09 грн
500+44.82 грн
1000+37.07 грн
5000+35.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.11 грн
10+92.30 грн
100+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 812infineon-ipa80r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 812infineon-ipa80r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Виробник : Infineon Technologies 812infineon-ipa80r1k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.