Технічний опис IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 31W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm.
Інші пропозиції IPA80R1K4CEXKSA2 за ціною від 44.32 грн до 137.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPA80R1K4CEXKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 31W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA80R1K4CEXKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 71.19 грн |
| 50+ | 71.01 грн |
| 100+ | 64.45 грн |
| 500+ | 52.35 грн |
| 1000+ | 44.32 грн |
| IPA80R1K4CEXKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 71.20 грн |
| 200+ | 71.01 грн |
| 220+ | 64.45 грн |
| 500+ | 52.36 грн |
| 1000+ | 44.32 грн |
| IPA80R1K4CEXKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 436+ | 81.16 грн |
| 500+ | 73.04 грн |
| 1000+ | 67.36 грн |
| IPA80R1K4CEXKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 436+ | 81.16 грн |
| IPA80R1K4CEXKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 436+ | 81.16 грн |
| IPA80R1K4CEXKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.93 грн |
| IPA80R1K4CEXKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPA80R1K4CEXKSA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
Description: INFINEON - IPA80R1K4CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)