IPA80R1K4P7 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 107.19 грн |
| 139+ | 102.39 грн |
| 250+ | 98.29 грн |
| 500+ | 91.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
132 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R1K4P7 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 4A, Power dissipation: 24W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 10nC.
Інші пропозиції IPA80R1K4P7 за ціною від 64.58 грн до 123.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R1K4P7 | Rochester Electronics, LLC |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 468 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPA80R1K4P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 24W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPA80R1K4P7 |
|
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPA80R1K4P7 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 123.73 грн |
| 50+ | 82.19 грн |
| 100+ | 76.32 грн |
| 300+ | 72.12 грн |
| 500+ | 64.58 грн |