Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA80R1K4P7XKSA1
IPA80R1K4P7XKSA1

IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
165+85.52 грн
184+76.37 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 24W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції IPA80R1K4P7XKSA1 за ціною від 45.04 грн до 180.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 8.9A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.85 грн
10+65.06 грн
50+52.21 грн
100+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.47 грн
50+62.65 грн
100+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.62 грн
10+81.34 грн
100+73.49 грн
500+58.26 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.62 грн
173+81.34 грн
192+73.49 грн
500+58.26 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.16 грн
10+85.96 грн
100+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON 2354623.pdf Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA80R1K4P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c
IPA80R1K4P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 8.9A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.85 грн
10+65.06 грн
50+52.21 грн
100+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c
IPA80R1K4P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.47 грн
50+62.65 грн
100+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA80R1K4P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+152.62 грн
10+81.34 грн
100+73.49 грн
500+58.26 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA80R1K4P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+152.62 грн
173+81.34 грн
192+73.49 грн
500+58.26 грн
1000+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPA80R1K4P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+180.16 грн
10+85.96 грн
100+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 2354623.pdf
IPA80R1K4P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon_IPA80R1K4P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPA80R1K4P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.