IPA80R1K4P7XKSA1

IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPA80R1K4P7XKSA1 за ціною від 30.01 грн до 127.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+79.31 грн
164+74.43 грн
189+64.57 грн
200+59.61 грн
1000+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+92.60 грн
10+76.59 грн
100+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.52 грн
50+58.04 грн
100+50.80 грн
500+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : INFINEON 2354623.pdf Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.45 грн
14+64.94 грн
100+59.81 грн
500+43.56 грн
1000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K4P7-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.07 грн
10+60.61 грн
100+48.36 грн
500+39.61 грн
1000+36.25 грн
2500+32.37 грн
5000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r1k4p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 IPA80R1K4P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.