IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.9A
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 130.47 грн |
| 10+ | 69.22 грн |
| 21+ | 46.60 грн |
| 57+ | 44.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 24W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції IPA80R1K4P7XKSA1 за ціною від 41.14 грн до 181.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V |
на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 702 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA80R1K4P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 24W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA80R1K4P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 140.94 грн |
| 10+ | 86.69 грн |
| 50+ | 65.27 грн |
| 100+ | 54.77 грн |
| 500+ | 43.38 грн |
| IPA80R1K4P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 702 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 151.52 грн |
| 10+ | 71.66 грн |
| 100+ | 55.71 грн |
| 500+ | 47.30 грн |
| 1000+ | 43.92 грн |
| 2500+ | 41.74 грн |
| 5000+ | 41.14 грн |
| IPA80R1K4P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 159.94 грн |
| IPA80R1K4P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 159.94 грн |
| IPA80R1K4P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 180.55 грн |
| IPA80R1K4P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 181.11 грн |
| IPA80R1K4P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: INFINEON - IPA80R1K4P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)