Технічний опис IPA80R280P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.
Інші пропозиції IPA80R280P7XKSA1 за ціною від 78.14 грн до 280.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V |
на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA80R280P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPA80R280P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPA80R280P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 30W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 30W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPA80R280P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.98 грн |
| 50+ | 121.25 грн |
| 100+ | 109.79 грн |
| 500+ | 84.19 грн |
| 1000+ | 78.14 грн |
| IPA80R280P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.91 грн |
| 10+ | 127.26 грн |
| 100+ | 100.09 грн |
| 500+ | 84.58 грн |
| IPA80R280P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: INFINEON - IPA80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 280.40 грн |
| 10+ | 154.59 грн |
| 100+ | 129.10 грн |
| IPA80R280P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPA80R280P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 30W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 30W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 224.76 грн |
| 10+ | 134.05 грн |
| 25+ | 128.96 грн |
| 50+ | 125.56 грн |