
IPA80R310CEXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 102.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R310CEXKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 16.7A TO220-FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA80R310CEXKSA2 за ціною від 102.46 грн до 258.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA80R310CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA80R310CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA80R310CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA80R310CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPA80R310CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPA80R310CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPA80R310CEXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |