Технічний опис IPA80R360P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm.
Інші пропозиції IPA80R360P7XKSA1 за ціною від 70.04 грн до 273.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 5004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA80R360P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPA80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA80R360P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 149.86 грн |
| 500+ | 134.64 грн |
| 1000+ | 124.10 грн |
| IPA80R360P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 81+ | 173.67 грн |
| 103+ | 137.21 грн |
| 123+ | 114.97 грн |
| 250+ | 109.75 грн |
| 500+ | 90.32 грн |
| 1000+ | 82.70 грн |
| IPA80R360P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.22 грн |
| 50+ | 102.21 грн |
| 100+ | 92.20 грн |
| 500+ | 70.04 грн |
| IPA80R360P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 273.72 грн |
| 10+ | 134.52 грн |
| 100+ | 125.50 грн |
| 500+ | 106.40 грн |
| 1000+ | 81.38 грн |
| IPA80R360P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
Description: INFINEON - IPA80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPA80R360P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)