Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA80R450P7XKSA1
IPA80R450P7XKSA1

IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+89.67 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 29W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.

Інші пропозиції IPA80R450P7XKSA1 за ціною від 65.48 грн до 219.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+89.67 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.64 грн
10+96.72 грн
100+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.64 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 29W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.15 грн
10+108.19 грн
50+82.19 грн
100+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+125.67 грн
50+96.05 грн
100+81.19 грн
500+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.82 грн
10+117.98 грн
100+111.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.82 грн
120+117.98 грн
127+111.74 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipa80r450p7_datasheet_en.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0002786284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 29W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+89.67 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+146.64 грн
10+96.72 грн
100+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+146.64 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 29W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.15 грн
10+108.19 грн
50+82.19 грн
100+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.22 грн
10+125.67 грн
50+96.05 грн
100+81.19 грн
500+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+219.82 грн
10+117.98 грн
100+111.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 infineonipa80r450p7datasheetv0203en.pdf
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+219.82 грн
120+117.98 грн
127+111.74 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 infineon_ipa80r450p7_datasheet_en.pdf
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 INFN-S-A0002786284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R450P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 29W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.