Технічний опис IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO220-3-31, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції IPA80R450P7XKSA1 за ціною від 58.22 грн до 217.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPA80R450P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 29W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3FInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPA80R450P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 85.01 грн |
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 90+ | 158.59 грн |
| 137+ | 103.59 грн |
| 148+ | 96.02 грн |
| 500+ | 76.96 грн |
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 158.77 грн |
| 10+ | 103.71 грн |
| 100+ | 96.13 грн |
| 500+ | 77.05 грн |
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 29W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 29W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.98 грн |
| 10+ | 89.08 грн |
| 50+ | 77.20 грн |
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.34 грн |
| 50+ | 84.25 грн |
| 100+ | 76.72 грн |
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 184.14 грн |
| 10+ | 107.96 грн |
| 100+ | 98.67 грн |
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 184.14 грн |
| 132+ | 107.96 грн |
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 214.68 грн |
| 122+ | 116.28 грн |
| 135+ | 105.30 грн |
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.09 грн |
| 10+ | 137.79 грн |
| 100+ | 82.46 грн |
| 500+ | 66.68 грн |
| 1000+ | 61.81 грн |
| 2500+ | 60.12 грн |
| 5000+ | 58.22 грн |






