IPA80R600P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 143+ | 85.20 грн |
| 152+ | 80.33 грн |
| 157+ | 77.80 грн |
| 200+ | 73.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R600P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPA80R600P7XKSA1 за ціною від 51.01 грн до 197.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPA80R600P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.51ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPA80R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPA80R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPA80R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |