IPA80R750P7XKSA1

IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPA80R750P7.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 487 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.85 грн
10+86.93 грн
16+58.20 грн
42+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.

Інші пропозиції IPA80R750P7XKSA1 за ціною від 44.70 грн до 142.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce99abae048c4 Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.38 грн
50+64.80 грн
100+58.79 грн
500+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA80R750P7_DataSheet_v02_02_EN-3362277.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.23 грн
10+84.29 грн
100+65.67 грн
250+64.73 грн
500+52.47 грн
1000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R750P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.62 грн
10+108.33 грн
16+69.85 грн
42+66.22 грн
500+65.31 грн
1000+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : INFINEON 2327415.pdf Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1
Код товару: 193874
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPA80R750P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce99abae048c4 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.