IPA80R750P7XKSA1

IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
на замовлення 471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.38 грн
10+82.34 грн
16+60.38 грн
42+57.24 грн
250+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.

Інші пропозиції IPA80R750P7XKSA1 за ціною від 46.37 грн до 147.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.86 грн
10+102.60 грн
16+72.46 грн
42+68.69 грн
250+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.39 грн
50+68.69 грн
100+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA80R750P7_DataSheet_v02_02_EN-3362277.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.55 грн
10+87.44 грн
100+68.13 грн
250+67.15 грн
500+54.43 грн
1000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : INFINEON 2327415.pdf Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1
Код товару: 193874
Додати до обраних Обраний товар

infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.