Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPA80R750P7XKSA1

IPA80R750P7XKSA1

infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf
Код товару: 193874
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPA80R750P7XKSA1 за ціною від 45.05 грн до 143.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.61 грн
50+65.07 грн
100+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA80R750P7_DataSheet_v02_02_EN-3362277.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 388 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+143.34 грн
10+84.94 грн
100+66.18 грн
250+65.23 грн
500+52.87 грн
1000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 INFINEON 2327415.pdf Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 infineon-ipa80r750p7-datasheet-en.pdf
IPA80R750P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.61 грн
50+65.07 грн
100+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 Infineon_IPA80R750P7_DataSheet_v02_02_EN-3362277.pdf
IPA80R750P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 388 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.34 грн
10+84.94 грн
100+66.18 грн
250+65.23 грн
500+52.87 грн
1000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 2327415.pdf
IPA80R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.