IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.91 грн |
| 50+ | 66.61 грн |
| 100+ | 60.43 грн |
| 500+ | 46.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.
Інші пропозиції IPA80R750P7XKSA1 за ціною від 45.95 грн до 154.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA80R750P7 THT N channel transistors |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPA80R750P7XKSA1 Код товару: 193874
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |