на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.05 грн |
| 10+ | 94.43 грн |
| 100+ | 65.83 грн |
| 500+ | 54.08 грн |
| 1000+ | 43.6 грн |
| 5000+ | 42.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.
Інші пропозиції IPA80R750P7XKSA1 за ціною від 85.07 грн до 135.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
IPA80R750P7XKSA1 Код товару: 193874 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 15nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: TO220FP Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 15nC Technology: CoolMOS™ P7 Case: TO220FP Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |