IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
                                                Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4+ | 118.80 грн | 
| 10+ | 83.33 грн | 
| 16+ | 61.11 грн | 
| 42+ | 57.93 грн | 
| 250+ | 55.55 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm. 
Інші пропозиції IPA80R750P7XKSA1 за ціною від 46.93 грн до 149.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES | 
            
                         Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220FP Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 3.9A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 26W Drain-source voltage: 800V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт  | 
        
                             на замовлення 471 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V  | 
        
                             на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         MOSFETs LOW POWER_NEW         | 
        
                             на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON | 
            
                         Description: INFINEON - IPA80R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm  | 
        
                             на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        |||||||||||||||
| 
            IPA80R750P7XKSA1 Код товару: 193874 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 
 | 
        
            
                         Транзистори > Польові N-канальні | 
        
                             товару немає в наявності 
                     | 
        |||||||||||||||||
                      | 
        IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||
| 
             | 
        IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin TO-220FP Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||
                      | 
        IPA80R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | 
            
                         Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        



