Технічний опис IPA90R1K0C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900, Dauer-Drainstrom Id: 5.7, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 32, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 32, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA90R1K0C3XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA90R1K0C3XKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 5.7 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 32 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 32 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IPA90R1K0C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPA90R1K0C3XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPA90R1K0C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.7 A, 1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPA90R1K0C3XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPA90R1K0C3XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.