Інші пропозиції IPA90R1K2C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA90R1K2C3 | Виробник : Infineon technologies |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
IPA90R1K2C3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
товару немає в наявності |
|
|
IPA90R1K2C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
IPA90R1K2C3XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
товару немає в наявності |


