IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 292+ | 104.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA90R1K2C3XKSA2 за ціною від 53.67 грн до 198.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA90R1K2C3XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Mosfet |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|