IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.29 грн |
| 10+ | 108.28 грн |
| 100+ | 86.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA90R1K2C3XKSA2 за ціною від 51.84 грн до 184.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPA90R1K2C3XKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Power Mosfet |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPA90R1K2C3XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |