IPA90R500C3XKSA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 189.38 грн |
| 50+ | 187.43 грн |
| 100+ | 171.75 грн |
| 500+ | 144.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA90R500C3XKSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPA90R500C3XKSA2 за ціною від 106.04 грн до 308.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPA90R500C3XKSA2 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA90R500C3XKSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPA90R500C3XKSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA90R500C3XKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 189.90 грн |
| 76+ | 187.95 грн |
| 100+ | 172.22 грн |
| 500+ | 144.53 грн |
| IPA90R500C3XKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 308.04 грн |
| 50+ | 151.62 грн |
| 100+ | 137.58 грн |
| 500+ | 106.04 грн |
| IPA90R500C3XKSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)