на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 480.94 грн |
| 10+ | 245.51 грн |
| 100+ | 211.94 грн |
| 500+ | 177.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA95R130PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 13.9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPA95R130PFD7XKSA1 за ціною від 252.36 грн до 520.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA95R130PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 950V 13.9A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IPA95R130PFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA95R130PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 13.9 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 13.9A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
IPA95R130PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 13.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |