Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA95R130PFD7XKSA1
IPA95R130PFD7XKSA1

IPA95R130PFD7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPA95R130PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181f72507e62e68 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 13.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.83 грн
50+254.13 грн
100+238.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA95R130PFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 13.9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPA95R130PFD7XKSA1 за ціною від 220.91 грн до 499.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA95R130PFD7XKSA1 IPA95R130PFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA95R130PFD7_DataSheet_v02_01_EN-3011872.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.18 грн
10+413.56 грн
25+339.80 грн
100+290.63 грн
250+287.69 грн
500+243.66 грн
1000+220.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R130PFD7XKSA1 Виробник : INFINEON 3795133.pdf Description: INFINEON - IPA95R130PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 13.9 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+492.33 грн
10+273.33 грн
100+251.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R130PFD7XKSA1 IPA95R130PFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa95r130pfd7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 13.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.