Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPA95R1K2P7XKSA1
IPA95R1K2P7XKSA1

IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies

infineonipa95r1k2p7datasheetv0203en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
149+95.30 грн
162+87.70 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPA95R1K2P7XKSA1 за ціною від 37.62 грн до 162.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA95R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.74 грн
10+71.27 грн
50+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.73 грн
50+64.40 грн
100+59.26 грн
500+45.74 грн
1000+39.61 грн
2000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA95R1K2P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.99 грн
10+77.41 грн
100+60.26 грн
500+47.93 грн
1000+40.67 грн
5000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON 2643902.pdf Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.81 грн
11+78.94 грн
100+70.39 грн
500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7.pdf
IPA95R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+129.74 грн
10+71.27 грн
50+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf
IPA95R1K2P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.73 грн
50+64.40 грн
100+59.26 грн
500+45.74 грн
1000+39.61 грн
2000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon_IPA95R1K2P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPA95R1K2P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+161.99 грн
10+77.41 грн
100+60.26 грн
500+47.93 грн
1000+40.67 грн
5000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 2643902.pdf
IPA95R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+162.81 грн
11+78.94 грн
100+70.39 грн
500+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.