Технічний опис IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 27W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm.
Інші пропозиції IPA95R1K2P7XKSA1 за ціною від 36.76 грн до 230.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA95R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA95R1K2P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 3.7A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA95R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA95R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA95R1K2P7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPA95R1K2P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 27W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPA95R1K2P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 149+ | 95.30 грн |
| 162+ | 87.70 грн |
| IPA95R1K2P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 126.79 грн |
| 10+ | 69.65 грн |
| 50+ | 58.87 грн |
| IPA95R1K2P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.48 грн |
| 50+ | 62.94 грн |
| 100+ | 57.91 грн |
| 500+ | 44.70 грн |
| 1000+ | 38.71 грн |
| 2000+ | 36.76 грн |
| IPA95R1K2P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 230.83 грн |
| 50+ | 106.01 грн |
| 100+ | 99.94 грн |
| 500+ | 83.94 грн |
| 1000+ | 63.54 грн |
| 2000+ | 57.94 грн |
| IPA95R1K2P7XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPA95R1K2P7XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)