
IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 119.38 грн |
11+ | 75.58 грн |
100+ | 68.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R1K2P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA95R1K2P7XKSA1 за ціною від 45.14 грн до 172.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPA95R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 986 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPA95R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPA95R1K2P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPA95R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPA95R1K2P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |