IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPA95R450P7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.47 грн
5+170.54 грн
7+140.44 грн
19+132.92 грн
25+127.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 950V, Drain current: 8.6A, Power dissipation: 30W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: THT, Gate charge: 35nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7.

Інші пропозиції IPA95R450P7XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA95R450P7 IPA95R450P7 Infineon Technologies Infineon_IPA95R450P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7 Infineon_IPA95R450P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.