IPA95R450PFD7XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPA95R450PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7.2 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 216.17 грн |
| 10+ | 111.93 грн |
| 100+ | 97.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPA95R450PFD7XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R450PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7.2 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPA95R450PFD7XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA95R450PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 7.2A Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPA95R450PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IPA95R450PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IPA95R450PFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
товару немає в наявності |