Продукція > INFINEON > IPA95R750P7XKSA1
IPA95R750P7XKSA1

IPA95R750P7XKSA1 INFINEON

2643904.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.09 грн
10+96.56 грн
100+88.31 грн
500+80.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPA95R750P7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPA95R750P7XKSA1 за ціною від 59.96 грн до 198.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.63 грн
50+88.27 грн
100+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPA95R750P7_DataSheet_v02_03_EN-3362160.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.27 грн
10+110.83 грн
100+86.81 грн
250+78.72 грн
500+69.82 грн
1000+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d IPA95R750P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa95r750p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 9A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.