Інші пропозиції IPA95R750P7XKSA1 за ціною від 51.22 грн до 215.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPA95R750P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 28W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |