Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPA95R750P7XKSA1

IPA95R750P7XKSA1

Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d
Код товару: 216891
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPA95R750P7XKSA1 за ціною від 45.53 грн до 240.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.14 грн
50+77.27 грн
100+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPA95R750P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.50 грн
10+83.49 грн
100+65.48 грн
500+52.37 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 INFINEON 2643904.pdf Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.33 грн
10+85.52 грн
100+76.88 грн
500+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 IPA95R750P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipa95r750p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+240.44 грн
115+123.52 грн
127+112.21 грн
500+105.47 грн
900+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d
IPA95R750P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+164.14 грн
50+77.27 грн
100+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 Infineon_IPA95R750P7_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IPA95R750P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.50 грн
10+83.49 грн
100+65.48 грн
500+52.37 грн
1000+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 2643904.pdf
IPA95R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA95R750P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+174.33 грн
10+85.52 грн
100+76.88 грн
500+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 infineonipa95r750p7datasheetv0203en.pdf
IPA95R750P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
59+240.44 грн
115+123.52 грн
127+112.21 грн
500+105.47 грн
900+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Лампа ультрафіолетова енергозберігаюча 20W
Код товару: 148686
Додати до обраних Обраний товар
Лампа ультрафіолетова енергозберігаюча 20W
Оптоелектроніка > Лампи світлодіодні, енергозберігаючі
Опис: Лампа СФ потужність 20Вт. Рекомендується для експонування фоторезистів, як сухого плівкового негативного, так і фоторезистивного лаку позитивного (наприклад Positiv 20 та інших аналогічних).
Енергоспоживання: 20 W
Тип цоколя: E27
Тип лампи: Лампа ультрафіолетова
у наявності: 12 шт
  • 1 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+297.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.