Продукція > INFINEON > IPAN60R125PFD7SXKSA1

IPAN60R125PFD7SXKSA1 INFINEON

Name: IPAN60R125PFD7SXKSA1
Brand: INFINEON
SKU: 2476502-6
Price: 888 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	222.00 грн
10+	126.27 грн
100+	113.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPAN60R125PFD7SXKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPAN60R125PFD7SXKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPAN60R125PFD7SXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 600V 25A Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPAN60R125PFD7SXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPAN60R125PFD7SXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPAN60R125PFD7SXKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPAN60R125PFD7SXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPAN60R125PFD7SXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs CONSUMER	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPAN60R125PFD7SXKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.