IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V
на замовлення 2519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 212.23 грн |
| 50+ | 99.04 грн |
| 100+ | 91.76 грн |
| 500+ | 69.78 грн |
| 1000+ | 63.98 грн |
| 2000+ | 61.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPAN60R125PFD7SXKSA1 за ціною від 65.12 грн до 245.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R125PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPAN60R125PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPAN60R125PFD7S THT N channel transistors |
товару немає в наявності |