IPAN60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPAN60R180CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.27 грн |
| 50+ | 81.03 грн |
| 100+ | 72.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, schmale Anschlüsse, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPAN60R180CM8XKSA1 за ціною від 47.43 грн до 198.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN60R180CM8XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN60R180CM8XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, schmale Anschlüsse, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPAN60R180CM8XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 182.55 грн |
| 10+ | 116.72 грн |
| 100+ | 71.89 грн |
| 500+ | 60.26 грн |
| 1000+ | 51.66 грн |
| 2500+ | 49.06 грн |
| 5000+ | 47.43 грн |
| IPAN60R180CM8XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, schmale Anschlüsse, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPAN60R180CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, schmale Anschlüsse, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 198.17 грн |
| 10+ | 97.03 грн |
| 100+ | 87.99 грн |