IPAN60R180P7SXKSA1

IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A Tube
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPAN60R180P7SXKSA1 за ціною від 43.69 грн до 182.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+157.36 грн
89+138.61 грн
156+78.76 грн
200+71.15 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.81 грн
50+75.07 грн
100+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPAN60R180P7S_DS_v02_00_EN-1840526.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.79 грн
10+80.62 грн
100+64.22 грн
500+57.27 грн
1000+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.85 грн
10+88.04 грн
100+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 18A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.