Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPAN60R180P7SXKSA1
IPAN60R180P7SXKSA1

IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Інші пропозиції IPAN60R180P7SXKSA1 за ціною від 59.10 грн до 180.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.64 грн
50+70.79 грн
100+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+180.76 грн
89+159.22 грн
156+90.48 грн
200+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 INFINEON Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPAN60R180P7S_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+59.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.64 грн
50+70.79 грн
100+65.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 infineon-ipan60r180p7s-ds-v02_00-en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+180.76 грн
89+159.22 грн
156+90.48 грн
200+81.74 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon_IPAN60R180P7S_DS_v02_00_EN.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.