Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPAN60R180P7SXKSA1

IPAN60R180P7SXKSA1

infineon-ipan60r180p7s-ds-en.pdf
Код товару: 222916
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPAN60R180P7SXKSA1 за ціною від 76.02 грн до 208.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.53 грн
151+93.87 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.89 грн
10+101.93 грн
100+94.23 грн
500+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineon-ipan60r180p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.30 грн
10+118.28 грн
50+90.10 грн
100+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.51 грн
10+112.62 грн
100+102.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.51 грн
126+112.62 грн
138+102.82 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPAN60R180P7S_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 INFINEON Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6 Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+101.53 грн
151+93.87 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+167.89 грн
10+101.93 грн
100+94.23 грн
500+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 infineon-ipan60r180p7s-ds-en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220-FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.30 грн
10+118.28 грн
50+90.10 грн
100+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+208.51 грн
10+112.62 грн
100+102.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 infineonipan60r180p7sdsv0200en.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
68+208.51 грн
126+112.62 грн
138+102.82 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon_IPAN60R180P7S_DS_v02_00_EN.pdf
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R180P7SXKSA1 Infineon-IPAN60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c0190169e2cd6eaa00a6
IPAN60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R180P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.