IPAN60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 409+ | 87.05 грн |
| 500+ | 78.35 грн |
| 1000+ | 72.26 грн |
| 10000+ | 62.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
409 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 24W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPAN60R280P7SXKSA1 за ціною від 39.78 грн до 138.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPAN60R280P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 11998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN60R280P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 448 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN60R280P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPAN60R280P7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 24W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220FP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPAN60R280P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 409+ | 87.05 грн |
| 500+ | 78.35 грн |
| 1000+ | 72.26 грн |
| 10000+ | 62.11 грн |
| IPAN60R280P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
MOSFET CONSUMER
на замовлення 448 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.33 грн |
| 10+ | 93.35 грн |
| 100+ | 62.53 грн |
| 500+ | 54.48 грн |
| 1000+ | 44.39 грн |
| 2500+ | 41.76 грн |
| 5000+ | 39.78 грн |
| IPAN60R280P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.07 грн |
| 50+ | 64.41 грн |
| 100+ | 57.67 грн |
| IPAN60R280P7SXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPAN60R280P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.214ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)