IPAN60R280PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 397+ | 88.51 грн |
| 500+ | 79.66 грн |
| 1000+ | 73.47 грн |
| 10000+ | 63.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R280PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 24W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm.
Інші пропозиції IPAN60R280PFD7SXKSA1 за ціною від 36.21 грн до 123.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 2779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 24W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPAN60R280PFD7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 397+ | 88.51 грн |
| 500+ | 79.66 грн |
| 1000+ | 73.47 грн |
| IPAN60R280PFD7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 397+ | 88.51 грн |
| 500+ | 79.66 грн |
| 1000+ | 73.47 грн |
| IPAN60R280PFD7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: CONSUMER PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.93 грн |
| 50+ | 62.68 грн |
| 100+ | 57.99 грн |
| 500+ | 42.61 грн |
| 1000+ | 39.10 грн |
| 2000+ | 36.21 грн |
| IPAN60R280PFD7SXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
Description: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPAN60R280PFD7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)