IPAN60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 22W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.
Інші пропозиції IPAN60R360P7SXKSA1 за ціною від 51.37 грн до 71.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPAN60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 38500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPAN60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPAN60R360P7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 22W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
IPAN60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 488+ | 71.98 грн |
| 543+ | 64.78 грн |
| 1000+ | 59.75 грн |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 488+ | 71.98 грн |
| 543+ | 64.78 грн |
| 1000+ | 59.75 грн |
| 10000+ | 51.37 грн |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 488+ | 71.98 грн |
| 543+ | 64.78 грн |
| 1000+ | 59.75 грн |
| 10000+ | 51.37 грн |
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPAN60R360P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
MOSFET CONSUMER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)