IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesThe 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 262+ | 46.69 грн |
| 263+ | 46.45 грн |
| 265+ | 46.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPAN60R360PFD7SXKSA1 за ціною від 32.88 грн до 113.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
на замовлення 4265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 714mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 714mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |