IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 262+ | 53.76 грн |
| 263+ | 53.48 грн |
| 265+ | 53.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPAN60R360PFD7SXKSA1 за ціною від 35.57 грн до 135.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
на замовлення 4265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | Infineon Technologies |
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 556+ | 63.25 грн |
| 1000+ | 58.33 грн |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 556+ | 63.25 грн |
| 1000+ | 58.33 грн |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.00 грн |
| 50+ | 53.74 грн |
| 100+ | 47.99 грн |
| 500+ | 35.57 грн |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 135.54 грн |
| 50+ | 74.46 грн |
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPAN60R360PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





