IPAN60R650CEXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN60R650CEXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN60R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPAN60R650CEXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPAN60R650CEXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
MOSFET CONSUMER
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)