IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPAN70R360P7S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+105.36 грн
7+63.01 грн
10+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 7.5A, Power dissipation: 26.5W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: THT, Gate charge: 16.4nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Kind of package: tube.

Інші пропозиції IPAN70R360P7SXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPAN70R360P7S IPAN70R360P7S Infineon Technologies Infineon_IPAN70R360P7S_DS_v02_01_EN-1709835.pdf MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7S Infineon_IPAN70R360P7S_DS_v02_01_EN-1709835.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.