
IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 31.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26.5W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPAN70R360P7SXKSA1 за ціною від 32.42 грн до 140.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.5W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 408 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |