IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 107.81 грн |
| 7+ | 64.48 грн |
| 10+ | 56.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPAN70R360P7SXKSA1 за ціною від 30.80 грн до 138.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAN70R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPAN70R360P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.97 грн |
| 10+ | 75.30 грн |
| 100+ | 49.76 грн |
| 500+ | 39.33 грн |
| 1000+ | 30.80 грн |