Технічний опис IPAN70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPAN70R750P7SXKSA1 за ціною від 27.84 грн до 57.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 20.8W Gate charge: 8.3nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.75Ω |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 409+ | 34.37 грн |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 38.14 грн |
| 14+ | 31.30 грн |
| 15+ | 29.32 грн |
| 50+ | 27.84 грн |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 735+ | 47.81 грн |
| 1000+ | 44.10 грн |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 57.66 грн |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
MOSFET CONSUMER
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






