IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPAN70R750P7S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
Power dissipation: 20.8W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 161 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+39.29 грн
14+32.24 грн
15+30.20 грн
50+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPAN70R750P7SXKSA1 за ціною від 45.14 грн до 106.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN70R750P7S-DS-v02_01-EN-1280173.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.79 грн
10+91.59 грн
100+61.88 грн
500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON 2577429.pdf Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
10+96.21 грн
100+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R750P7S-DS-v02_01-EN-1280173.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.79 грн
10+91.59 грн
100+61.88 грн
500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 2577429.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.08 грн
10+96.21 грн
100+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.