IPAN70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 409+ | 30.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAN70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20.8W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPAN70R750P7SXKSA1 за ціною від 26.63 грн до 110.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Gate charge: 8.3nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 20.8W Technology: CoolMOS™ P7 |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Gate charge: 8.3nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±16V Power dissipation: 20.8W Technology: CoolMOS™ P7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 20.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 20.8W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IPAN70R750P7SXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |