Технічний опис IPAN70R750P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 20.8W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm.
Інші пропозиції IPAN70R750P7SXKSA1 за ціною від 28.09 грн до 58.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 20.8W Gate charge: 8.3nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.75Ω |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 20.8W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPAN70R750P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 409+ | 34.68 грн |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 20.8W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 38.48 грн |
| 14+ | 31.58 грн |
| 15+ | 29.58 грн |
| 50+ | 28.09 грн |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 735+ | 48.24 грн |
| 1000+ | 44.50 грн |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 58.17 грн |
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
MOSFET CONSUMER
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
Description: INFINEON - IPAN70R750P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






