Продукція > INFINEON > IPAN70R900P7SXKSA1
IPAN70R900P7SXKSA1

IPAN70R900P7SXKSA1 Infineon


TIPAN70r900p7s_INFINEON_0001.pdf
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50°C ~ 150°C; Substitute: IPAN70R900P7SXKSA1; IPAN70R900P7S TIPAN70r900p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN70R900P7SXKSA1 Infineon

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 17.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO220-FP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPAN70R900P7SXKSA1 за ціною від 22.99 грн до 85.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPAN70R900P7SXKSA1 IPAN70R900P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPAN70R900P7S_DS_v02_01_EN-3362278.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.35 грн
10+56.97 грн
100+34.49 грн
500+29.89 грн
1000+25.57 грн
2500+23.62 грн
5000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1 Виробник : Infineon infineon-ipan70r900p7s-ds-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 6A TO-220FP Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R900P7SXKSA1 IPAN70R900P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipan70r900p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.