Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPAN80R360P7
IPAN80R360P7

IPAN80R360P7 Infineon Technologies

Infineon_IPAN80R360P7_DS_v02_01_EN-3164190.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN80R360P7 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 8.6A, Power dissipation: 30W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: THT, Gate charge: 30nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

Інші пропозиції IPAN80R360P7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN80R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7.pdf
IPAN80R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.