Продукція > INFINEON > IPAN80R360P7XKSA1
IPAN80R360P7XKSA1

IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON

2718681.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPAN80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm.

Інші пропозиції IPAN80R360P7XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ipan80r360p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPAN80R360P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN80R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7XKSA1 Infineon Technologies 2377696340951751infineon-ipan80r360p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625b62cd8a015bc.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7XKSA1 Infineon Technologies 2377696340951751infineon-ipan80r360p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625b62cd8a015bc.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 infineon-ipan80r360p7-ds-en.pdf
IPAN80R360P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 Infineon_IPAN80R360P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPAN80R360P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7.pdf
IPAN80R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 2377696340951751infineon-ipan80r360p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625b62cd8a015bc.pdf
IPAN80R360P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 2377696340951751infineon-ipan80r360p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625b62cd8a015bc.pdf
IPAN80R360P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.