Продукція > INFINEON > IPAN80R360P7XKSA1

IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON

Name: IPAN80R360P7XKSA1
Brand: INFINEON
SKU: 32098119-6
Price: 852.88 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	213.22 грн
10+	103.38 грн
100+	93.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPAN80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPAN80R360P7XKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPAN80R360P7XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IPAN80R360P7XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IPAN80R360P7XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IPAN80R360P7XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs LOW POWER_NEW	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IPAN80R360P7XKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.