Технічний опис IPAW60R180P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції IPAW60R180P7SXKSA1 за ціною від 48.21 грн до 188.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 53878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPAW60R180P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 79.15 грн |
| 45+ | 70.18 грн |
| 135+ | 63.54 грн |
| 540+ | 56.25 грн |
| 1035+ | 51.55 грн |
| 2025+ | 48.21 грн |
| IPAW60R180P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 53878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 342+ | 103.23 грн |
| 500+ | 92.90 грн |
| 1000+ | 85.69 грн |
| 10000+ | 73.66 грн |
| IPAW60R180P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 116+ | 122.29 грн |
| 153+ | 92.80 грн |
| 171+ | 82.87 грн |
| 450+ | 71.94 грн |
| IPAW60R180P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.15 грн |
| 10+ | 111.83 грн |
| IPAW60R180P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 188.16 грн |
| 79+ | 179.69 грн |
| 166+ | 85.14 грн |
| 200+ | 72.39 грн |
| IPAW60R180P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)