IPAW60R190CEXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26.7 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAW60R190CEXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26.7 A, 0.17 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPAW60R190CEXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPAW60R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
MOSFET CONSUMER
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



