Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPAW60R360P7SXKSA1
IPAW60R360P7SXKSA1

IPAW60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipaw60r360p7s-datasheet-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPAW60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 22W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPAW60R360P7SXKSA1 за ціною від 35.20 грн до 103.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPAW60R360P7SXKSA1 IPAW60R360P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPAW60R360P7S_DataSheet_v02_02_EN-1859228.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.60 грн
10+64.83 грн
100+48.13 грн
450+48.05 грн
900+39.25 грн
2700+36.95 грн
5400+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R360P7SXKSA1 IPAW60R360P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipaw60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R360P7SXKSA1 IPAW60R360P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipaw60r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R360P7SXKSA1 IPAW60R360P7SXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipaw60r360p7s-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.