Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPAW60R600P7SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPAW60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 21, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS P7, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPAW60R600P7SXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPAW60R600P7SXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPAW60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 21 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 21 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPAW60R600P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPAW60R600P7SXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IPAW60R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 21
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPAW60R600P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPAW60R600P7SXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.